只不过是如今量子计算机的算力实在是太nb，所以掩盖了其不需要集成化的本质。
一旦到时候需要计算的事情超过了量子计算机本身的承载能力，满足不了如今的需求了，那么量子计算机的集成化是必须要考虑的事情。
而电路方面的集成化，就绕不开硅基芯片，绕不开蚀刻这一个步骤。
而早在2016年，《科学》杂志就已经报道过了劳伦斯伯克利国家实验室的研究成果：世界上最小的晶体管，也就是1纳米栅极长度的mos2晶体管。
进一步缩小晶体管尺寸是提高计算机算力，以及打破技术瓶颈的重要突破。
晶体管越是小，那么芯片上的容量就会越大，处理器的速度就越快，计算机的效率也就会更加的高。
多年以来，计算机行业一直受到摩尔定律的支配，摩尔定律所指出，半导体电路中的晶体管数量每隔两年就会翻一倍。
但是展望未来，目前摩尔定律的发展已经开始遇到麻烦了，所谓的麻烦就是无力定律。
虽然用硅制造7nm节点在技术上是可行的，但是在那之后就遇到了问题，小于7nm的硅晶体管在物理上面精密相连，电子会经历量子隧穿效应。
所谓在芯片上的量子隧穿效应，是指的电子可以连续的从一个门流向下一个门，而不是停留在预期的逻辑门之内，所以这子在本质上使得晶体管不可能处于关闭状态。
而晶体管正是需要一开一关，代表着0和1这两个计算机最本质上的东西，才能正常的运作。
所以量子隧穿效应的发生，使得芯片始终无法制造到3nm以下。
虽然已经可以制造1纳米光刻机了，但是制造出来的光刻机能用，不代表着芯片也能用啊。
而工业界一直在压榨着硅基底的每一点产能，通过将材料转换成为mos2，就可以制造出一个只有1nm长的栅晶体管，并且像是开关一样控制它。
众所周知，晶体管都是由三个端子所组成的，分别是源极，漏极和栅极。
电流从个源极流向漏极，并且由栅极所控制，栅极根据所施加的电压进行导通或者关闭电流。